谈论布景老师 足交

反铁磁材料是具有相互对皆的自旋的材料，因其潜在的诳骗远景，如低功耗自旋电子器件和高密度信息存储，频年来成为了谈论热门。可是，传统的反铁磁材料由于其阑珊宏不雅磁化和期间回转对称性（TtS），难以好意思满访佛于铁磁材料的霍尔效应，因此难以用电信号读写自旋情景，这成为其宽泛诳骗的一大挑战。

为了惩办这一问题，频年来，科学家们提议了在特定条目下，某些反铁磁材料不错通过破缺TtS，引导自觉霍尔效应。具体来说，当反铁磁材料具有顺应的晶体对称性，何况非磁性离子以门道状胪列时，↑↓和↓↑自旋情景不再对称，不错破缺TtS，从而产生访佛铁磁材料的霍尔效应。这一快意为反铁磁材料在信息存储和自旋电子学中的诳骗提供了新的标的。

效率简介

有鉴于此，东京大学Rina Takagi， Ryosuke Hirakida老师 足交，Shinichiro Seki等证明注解在Nature Materials期刊上发表了题为“Spontaneous Hall effect induced by collinear antiferromagnetic order at room temperature”的最新论文。最近的谈论标明，FeS等材料在室温下展示了自觉霍尔效应，这一效应与磁化强度无关，而是由破缺TtS的反铁磁有序结构引起的臆造磁场产生的。该谈论为反铁磁材料在高效、低功耗的信息读取和写入提供了可能性，何况为好意思满无磁化的自旋介质提供了新的表面依据。 谈论亮点

伸开剩余65%

（1）现实初次在共线反铁磁材料FeS中不雅察到自觉霍尔效应，获得了该材料在室温下具有与铁磁材料相通的霍尔效应说明。

（2）现实通过对FeS样品的霍尔效应测量，发现该材料的↑↓和↓↑自旋情景区分引起相背象征的自觉霍尔效应，且这种效应并不起原于磁化强度，而是与对称性破缺的反铁磁有序结构相干的臆造磁场关联。

（3）现实标明，FeS在室温下具有可用于电读写的自觉霍尔效应，这为在导电系统中好意思满↑↓和↓↑自旋情景的电读写提供了新的可能性。

图文解读

图1:各式类型的共线磁体和自觉霍尔效应分类。

图2: 室温共线反铁磁体FeS中的自觉霍尔效应。

图3: 在易平面（易轴）共线反铁磁态中，存在（不存在）自觉霍尔信号。

图4: 在FeS中，自觉霍尔效应的微不雅发源分析。

论断预测

本文的谈论揭示了TtS破缺的共线反铁磁体（如FeS）具有访佛铁磁体的功能反应，但其净磁化强度接近零。这一发现为传统反铁磁体在自旋电子学中的诳骗提供了新的念念路。自觉霍尔效应的不雅察不仅为反铁磁体中自旋情景（↑↓和↓↑）的电读出提供了可能，还预测了其在光学和热学界限的潜在诳骗，如磁光克尔效应和Nernst效应。

谈论标明，通过自旋休养矩或自旋轨谈矩，或者好意思满期间回转域的电写入，这为自旋存储和信息处理提供了新的技巧旅途。TtS破缺的反铁磁体在保抓极低磁化的同期，或者好意思满访佛铁磁体的功能特质，开荒了新式自旋电子学材料的谈论标的，并为异日诞生高效率、低功耗的信息存储和处理器件提供了表面依据和现实撑抓。这一效率不仅挑战了传统反铁磁体的诳骗放荡，还为材料科学提供了新的视角，激动了自旋电子学界限的发展。

文件信息

Takagi， R.， Hirakida， R.， Settai， Y. et al. Spontaneous Hall effect induced by collinear antiferromagnetic order at room temperature. Nat. Mater. (2024).

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